ผลิตชิปหน่วยความจำ DRAM และ NAND รวมถึงหน่วยความจำ HBM สำหรับชิป AI
DAOL MEMORY FUND NOT FOR RETAIL INVESTORS
บอกตำแหน่งของกองนี้ในกลุ่ม ไม่ใช่คำแนะนำการลงทุน · ข้อมูล ณ 3 พ.ย. 2569
DAOL-DRAM ลงทุนผ่านกองทุนหลัก Roundhill Memory ETF 96.30%
กองนี้และกองหลักต่างมีค่าธรรมเนียมของตัวเอง ดูค่าธรรมเนียมจริงในส่วนค่าธรรมเนียมของหน้านี้
ข้อมูล ณ 30 ก.ย. 2569 · แสดง 6 รายการสูงสุด ส่วนที่เหลือรวมเป็นอื่น ๆ · ตาม Factsheet ของ Roundhill
กองเปิดไม่ถึง 1 ปี ยังไม่มีอันดับ 1 ปี
แต่ละแท่งคือกองทุน 1 กองในกลุ่ม AIMC Technology Equity · เซมิคอนดักเตอร์ เรียงจากผลตอบแทนสูงไปต่ำ · นับทุกชนิดหน่วย และนับเฉพาะกองที่มีผลงานครบช่วงนั้น · คำนวณจาก NAV ณ 3 พ.ย. 2569
ผลการดำเนินงานในอดีตมิได้เป็นสิ่งยืนยันถึงผลการดำเนินงานในอนาคต
| 1W | 2W | 1M | 3M | MAX |
|---|---|---|---|---|
| −5.63% | −0.29% | −22.38% | −7.69% | −34.03% |
ผลตอบแทนรวมตลอดช่วง ตามช่วงเวลาเดียวกับกราฟ NAV · ไม่ต่อปี
| ปี | ม.ค. | ก.พ. | มี.ค. | เม.ย. | พ.ค. | มิ.ย. | ก.ค. | ส.ค. | ก.ย. | ต.ค. | พ.ย. | ธ.ค. | ทั้งปี |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2569 | · | · | · | · | · | +2.4 | −31.2 | +12.1 | +5.3 | −20.0 | −0.8 | · | −34.0* |
ข้อมูลย้อนหลังยังสั้นเกินไป
ขาดทุนสูงสุดในช่วงที่เลือก −38.10% จุดสูงสุดเดิม 30 มิ.ย. 2569 (NAV 10.2341) → ต่ำสุด 22 ต.ค. 2569 (NAV 6.3347) · ยังไม่กลับเท่าทุน ณ 3 พ.ย. 2569
ปัจจุบัน −35.57% จาก NAV สูงสุด 10.2341 (30 มิ.ย. 2569)
ช่วง 1 ปี มี 6 กองที่มีข้อมูล · DAOL-DRAM ยังไม่มีข้อมูลช่วงนี้
กองทุนเน้นลงทุนในหน่วยลงทุนของ Roundhill Memory ETF (กองทุนหลัก) เพียงกองทุนเดียว โดยเฉลี่ยในรอบปีบัญชีไม่น้อยกว่าร้อยละ 80 ของมูลค่าทรัพย์สินสุทธิของกองทุน ทั้งนี้ กองทุนหลักเป็นกองทุนอีทีเอฟ ซึ่งจดทะเบียนซื้อขายในตลาดหลักทรัพย์ Cboe BZX Exchange (Cboe) ประเทศสหรัฐอเมริกา… ทรัพย์สินที่ลงทุนสูงสุดคือ ROUNDHILL MEMORY ETF 96.30% (Factsheet 30 ก.ย. 2569)
ความเสี่ยงระดับ 7 จาก 8 (เสี่ยงสูง) คือลงทุนในตราสารทุน โดยเน้นเพียงบางหมวดอุตสาหกรรม โดยเฉลี่ยในรอบปีไม่น้อยกว่า 80% ของ NAV ตั้งแต่ 29 มิ.ย. 2569 NAV เคยลดลงสูงสุด −38.10% จากจุดสูงสุด
ค่าใช้จ่ายรวมที่เก็บจริง 1.96% ต่อปี จากเพดาน 4.80% ค่าธรรมเนียมการจัดการ 1.61% ค่าธรรมเนียมการขาย 1.61% ค่าธรรมเนียมรับซื้อคืน 0.00% (Factsheet 31 ส.ค. 2569)
ไม่จ่ายเงินปันผล กำไรหรือขาดทุนสะสมอยู่ในราคา NAV ผู้ลงทุนรับผลตอบแทนเมื่อขายคืนหน่วยลงทุน
ซื้อครั้งแรกขั้นต่ำ 1 บาท ครั้งถัดไป 1 บาท ส่งคำสั่งซื้อได้ถึง 15:30 น. คำสั่งขายถึง 15:30 น. และได้รับเงินค่าขายคืน T+2
DAOL-DRAM เสนอขายเฉพาะผู้ลงทุนที่มิใช่รายย่อย ผู้ลงทุนรายย่อยทั่วไปซื้อไม่ได้
ป้องกันค่าเงินตามดุลยพินิจ ณ 30 ก.ย. 2569 ป้องกันไว้ 71.82% ของมูลค่าเงินลงทุนต่างประเทศ
ผลการดำเนินงานในอดีตมิได้เป็นสิ่งยืนยันถึงผลการดำเนินงานในอนาคต · การลงทุนมีความเสี่ยง ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยงก่อนตัดสินใจลงทุน · กองทุนลงทุนในต่างประเทศ ผู้ลงทุนอาจขาดทุนหรือได้กำไรจากอัตราแลกเปลี่ยน
ผลิตชิปหน่วยความจำ DRAM และ NAND รวมถึงหน่วยความจำ HBM สำหรับชิป AI
ผลิตสมาร์ตโฟน Galaxy ทีวี เครื่องใช้ไฟฟ้า และชิปหน่วยความจำ
ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำจากเกาหลีใต้ ทั้ง DRAM, NAND และ HBM ที่ใช้คู่ชิป AI
ผลิตฮาร์ดดิสก์สำหรับเก็บข้อมูล โดยเฉพาะรุ่นความจุสูงสำหรับดาต้าเซ็นเตอร์
ผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND การ์ดความจำ แฟลชไดรฟ์ และ SSD แบรนด์ SanDisk
ผลิตฮาร์ดดิสก์ เช่น แบรนด์ WD และรุ่นความจุสูงสำหรับดาต้าเซ็นเตอร์
บริษัทญี่ปุ่นผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND และ SSD แยกตัวมาจาก Toshiba
บริษัทไต้หวันผลิตชิปหน่วยความจำ DRAM อยู่ในเครือ Formosa Plastics
บริษัทไต้หวันผลิตชิปหน่วยความจำเฉพาะทาง เช่น DRAM และแฟลช NOR และ NAND
คิดจากสัดส่วนกองทุนหลักในมูลค่ากองทุน (96.30% ณ 30 ก.ย. 2569) × สัดส่วนหุ้นในกองทุนหลัก · หุ้น ณ 30 ก.ย. 2569 · Factsheet ของ Roundhill · ภาพประกอบเพื่อความเข้าใจ ไม่ใช่การแนะนำหุ้นรายตัว