ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำจากเกาหลีใต้ ทั้ง DRAM, NAND และ HBM ที่ใช้คู่ชิป AI
DAOL MEMORY FUND
บอกตำแหน่งของกองนี้ในกลุ่ม ไม่ใช่คำแนะนำการลงทุน · ข้อมูล ณ 3 พ.ย. 2569
DAOL-MEMORY ลงทุนผ่านกองทุนหลัก Defiance Memory UCITS ETF (DRAM) 80.44%
กองนี้และกองหลักต่างมีค่าธรรมเนียมของตัวเอง ดูค่าธรรมเนียมจริงในส่วนค่าธรรมเนียมของหน้านี้
ข้อมูล ณ 30 ก.ย. 2569 · แสดง 6 รายการสูงสุด ส่วนที่เหลือรวมเป็นอื่น ๆ · ตาม Factsheet ของผู้ออกกองทุน
กองเปิดไม่ถึง 1 ปี ยังไม่มีอันดับ 1 ปี
แต่ละแท่งคือกองทุน 1 กองในกลุ่ม AIMC Technology Equity · เซมิคอนดักเตอร์ เรียงจากผลตอบแทนสูงไปต่ำ · นับทุกชนิดหน่วย และนับเฉพาะกองที่มีผลงานครบช่วงนั้น · คำนวณจาก NAV ณ 3 พ.ย. 2569
ผลการดำเนินงานในอดีตมิได้เป็นสิ่งยืนยันถึงผลการดำเนินงานในอนาคต
| 1W | 2W | 1M | 3M | MAX |
|---|---|---|---|---|
| −8.88% | −6.81% | −25.18% | N/A | −17.61% |
ผลตอบแทนรวมตลอดช่วง ตามช่วงเวลาเดียวกับกราฟ NAV · ไม่ต่อปี
| ปี | ม.ค. | ก.พ. | มี.ค. | เม.ย. | พ.ค. | มิ.ย. | ก.ค. | ส.ค. | ก.ย. | ต.ค. | พ.ย. | ธ.ค. | ทั้งปี |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2569 | · | · | · | · | · | · | · | +5.5 | +5.3 | −22.9 | −3.8 | · | −17.6* |
ข้อมูลย้อนหลังยังสั้นเกินไป
ขาดทุนสูงสุดในช่วงที่เลือก −30.42% จุดสูงสุดเดิม 17 ส.ค. 2569 (NAV 11.8269) → ต่ำสุด 3 พ.ย. 2569 (NAV 8.2290) · ยังไม่กลับเท่าทุน ณ 3 พ.ย. 2569
ปัจจุบัน −30.42% จาก NAV สูงสุด 11.8269 (17 ส.ค. 2569)
ช่วง 1 ปี มี 6 กองที่มีข้อมูล · DAOL-MEMORY ยังไม่มีข้อมูลช่วงนี้
กองทุนเน้นลงทุนในหน่วยลงทุนของ Defiance Memory UCITS ETF Class Accumulating (กองทุนหลัก) ในสกุลเงินดอลลาร์สหรัฐ (USD) เพียงกองทุนเดียว โดยเฉลี่ยในรอบปีบัญชีไม่น้อยกว่าร้อยละ 80 ของมูลค่าทรัพย์สินสุทธิของกองทุน ทั้งนี้ กองทุนหลักเป็นกองทุนอีทีเอฟ ซึ่งจดทะเบียนซื้อขายในกองทุนหลักดังกล่าวเป็นกองทุนอีท… ทรัพย์สินที่ลงทุนสูงสุดคือ DEFIANCE MEMORY ETF ACCUMLT 80.44% (Factsheet 30 ก.ย. 2569)
ความเสี่ยงระดับ 7 จาก 8 (เสี่ยงสูง) ตั้งแต่ 11 ส.ค. 2569 NAV เคยลดลงสูงสุด −30.42% จากจุดสูงสุด
ค่าใช้จ่ายรวมที่เก็บจริง 1.96% ต่อปี จากเพดาน 4.80% ค่าธรรมเนียมการจัดการ 1.61% ค่าธรรมเนียมการขาย 1.61% ค่าธรรมเนียมรับซื้อคืน 0.00% (Factsheet 31 ส.ค. 2569)
ไม่จ่ายเงินปันผล กำไรหรือขาดทุนสะสมอยู่ในราคา NAV ผู้ลงทุนรับผลตอบแทนเมื่อขายคืนหน่วยลงทุน
ซื้อครั้งแรกขั้นต่ำ 1 บาท ครั้งถัดไป 1 บาท ส่งคำสั่งซื้อได้ถึง 15:30 น. คำสั่งขายถึง 15:30 น. และได้รับเงินค่าขายคืน T+3
ป้องกันค่าเงินตามดุลยพินิจ ณ 30 ก.ย. 2569 ป้องกันไว้ 76.36% ของมูลค่าเงินลงทุนต่างประเทศ
ผลการดำเนินงานในอดีตมิได้เป็นสิ่งยืนยันถึงผลการดำเนินงานในอนาคต · การลงทุนมีความเสี่ยง ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยงก่อนตัดสินใจลงทุน · กองทุนลงทุนในต่างประเทศ ผู้ลงทุนอาจขาดทุนหรือได้กำไรจากอัตราแลกเปลี่ยน
ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำจากเกาหลีใต้ ทั้ง DRAM, NAND และ HBM ที่ใช้คู่ชิป AI
ผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND การ์ดความจำ แฟลชไดรฟ์ และ SSD แบรนด์ SanDisk
ผลิตชิปหน่วยความจำ DRAM และ NAND รวมถึงหน่วยความจำ HBM สำหรับชิป AI
บริษัทญี่ปุ่นผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND และ SSD แยกตัวมาจาก Toshiba
ผลิตสมาร์ตโฟน Galaxy ทีวี เครื่องใช้ไฟฟ้า และชิปหน่วยความจำ
ผลิตฮาร์ดดิสก์สำหรับเก็บข้อมูล โดยเฉพาะรุ่นความจุสูงสำหรับดาต้าเซ็นเตอร์
ผลิตฮาร์ดดิสก์ เช่น แบรนด์ WD และรุ่นความจุสูงสำหรับดาต้าเซ็นเตอร์
บริษัทไต้หวันผลิตชิปหน่วยความจำ DRAM อยู่ในเครือ Formosa Plastics
โรงงานรับจ้างผลิตชิปจากไต้หวัน ผลิตทั้งชิปหน่วยความจำและชิปลอจิก
เครือข่ายมือถือ อินเทอร์เน็ต และซอฟต์แวร์
คิดจากสัดส่วนกองทุนหลักในมูลค่ากองทุน (80.44% ณ 30 ก.ย. 2569) × สัดส่วนหุ้นในกองทุนหลัก · หุ้น ณ 22 ต.ค. 2569 · ภาพประกอบเพื่อความเข้าใจ ไม่ใช่การแนะนำหุ้นรายตัว