อันดับ 1 คือ TLSEMICON-UH +57.30%
LH SEMICONDUCTOR FUND
บอกตำแหน่งของกองนี้ในกลุ่ม ไม่ใช่คำแนะนำการลงทุน · ข้อมูล ณ 3 พ.ย. 2569
LHSEMICON-E ลงทุนผ่านกองทุนหลัก iShares Semiconductor ETF (SOXX) 100.71%
กองนี้และกองหลักต่างมีค่าธรรมเนียมของตัวเอง ดูค่าธรรมเนียมจริงในส่วนค่าธรรมเนียมของหน้านี้
ข้อมูล ณ 30 ก.ย. 2569 · แสดง 6 รายการสูงสุด ส่วนที่เหลือรวมเป็นอื่น ๆ · ตาม Factsheet ของผู้ออกกองทุน
ปีที่ผ่านมาต่ำกว่าครึ่งกลุ่ม ส่วน 5 ปีได้ +16.62% ต่อปี (ต่ำกว่าครึ่งกลุ่ม)
อันดับ 1 คือ TLSEMICON-UH +57.30%
อันดับ 1 คือ SCBSEMI(E) +24.56% ต่อปี
แต่ละแท่งคือกองทุน 1 กองในกลุ่ม AIMC Technology Equity · เซมิคอนดักเตอร์ เรียงจากผลตอบแทนสูงไปต่ำ · นับทุกชนิดหน่วย และนับเฉพาะกองที่มีผลงานครบช่วงนั้น · คำนวณจาก NAV ณ 3 พ.ย. 2569
ผลการดำเนินงานในอดีตมิได้เป็นสิ่งยืนยันถึงผลการดำเนินงานในอนาคต
| YTD | 1W | 2W | 1M | 3M | 6M | 1Y | 3Y | 5Y | MAX |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| +46.75% | −8.89% | −6.91% | −20.60% | −8.55% | −1.46% | +42.55% | +145.57% | +115.73% | +134.29% |
ผลตอบแทนรวมตลอดช่วง ตามช่วงเวลาเดียวกับกราฟ NAV · ไม่ต่อปี
| ปี | ม.ค. |
|---|
ขาดทุนสูงสุดในช่วงที่เลือก −45.52% จุดสูงสุดเดิม 27 ธ.ค. 2564 (NAV 12.1485) → ต่ำสุด 12 ต.ค. 2565 (NAV 6.6180) · กลับเท่าทุน 24 ม.ค. 2567 ใช้เวลาฟื้นตัว 1 ปี 3 เดือน
ปัจจุบัน −29.93% จาก NAV สูงสุด 33.4368 (22 มิ.ย. 2569)
ช่วง 1 ปี LHSEMICON-E ได้ผลตอบแทนต่อความผันผวน 0.91 อันดับ 5 จาก 6 กอง · สูงสุดคือ TLSEMICON-UH (1.35)
กองทุนมีนโยบายลงทุนในหน่วยลงทุนของกองทุนรวมต่างประเทศ (หรือ “กองทุนหลัก (Master fund)”) ที่มีนโยบายลงทุนในบริษัทที่ดำเนินธุรกิจด้านการออกแบบ การจัดจำหน่าย การผลิต และการขายเซมิคอนดักเตอร์ โดยจะลงทุนในกองทุนหลักเฉลี่ยในรอบปีบัญชีไม่น้อยกว่าร้อยละ 80 ของมูลค่าทรัพย์สินสุทธิ ซึ่งกองทุนเปิด แอล เอช… ทรัพย์สินที่ลงทุนสูงสุดคือ MICRON TECHNOLOGY INC 8.54% · ADVANCED MICRO DEVICES INC 8.09% · NVIDIA CORP 6.81% (Factsheet 30 ก.ย. 2569)
ความเสี่ยงระดับ 7 จาก 8 (เสี่ยงสูง) คือลงทุนในตราสารทุน โดยเน้นเพียงบางหมวดอุตสาหกรรมโดยเฉลี่ยในรอบปีไม่น้อยกว่า 80 % ของ NAV ตั้งแต่ 28 มิ.ย. 2564 NAV เคยลดลงสูงสุด −45.52% จากจุดสูงสุด
ค่าใช้จ่ายรวมที่เก็บจริง 2.08% ต่อปี จากเพดาน 5.00% ค่าธรรมเนียมการจัดการ 1.41% ค่าธรรมเนียมการขาย 0.00% ค่าธรรมเนียมรับซื้อคืน 0.00% (Factsheet 30 ก.ย. 2569)
ไม่จ่ายเงินปันผล กำไรหรือขาดทุนสะสมอยู่ในราคา NAV ผู้ลงทุนรับผลตอบแทนเมื่อขายคืนหน่วยลงทุน
ซื้อครั้งแรกขั้นต่ำ 500 บาท ครั้งถัดไป 500 บาท ส่งคำสั่งซื้อได้ถึง 15:00 น. คำสั่งขายถึง 15:00 น. และได้รับเงินค่าขายคืน T+2
ป้องกันค่าเงินตามดุลยพินิจ ณ 30 ก.ย. 2569 ป้องกันไว้ 81.51% ของมูลค่าเงินลงทุนต่างประเทศ
เป็นชนิดหน่วยลงทุนของโครงการเดียวกัน ลงทุนในทรัพย์สินเดียวกัน ต่างกันที่เงื่อนไขของแต่ละชนิด เช่น นโยบายเงินปันผล ค่าธรรมเนียม หรือผู้ลงทุนที่ซื้อได้ · LHSEMICON-E: ไม่จ่ายเงินปันผล ค่าใช้จ่ายรวม 2.08% · LHSEMICON-A: ไม่จ่ายเงินปันผล ค่าใช้จ่ายรวม 2.08% · LHSEMICON-D: จ่ายเงินปันผล ค่าใช้จ่ายรวม 2.08%
ผลการดำเนินงานในอดีตมิได้เป็นสิ่งยืนยันถึงผลการดำเนินงานในอนาคต · การลงทุนมีความเสี่ยง ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยงก่อนตัดสินใจลงทุน · กองทุนลงทุนในต่างประเทศ ผู้ลงทุนอาจขาดทุนหรือได้กำไรจากอัตราแลกเปลี่ยน
ออกแบบและผลิตชิปประมวลผล Intel Core สำหรับพีซี และ Xeon สำหรับเซิร์ฟเวอร์
บริษัทออกแบบชิปประมวลผล Ryzen การ์ดจอ Radeon และชิปสำหรับศูนย์ข้อมูล AI
ผลิตชิปหน่วยความจำ DRAM และ NAND รวมถึงหน่วยความจำ HBM สำหรับชิป AI
ชิปประมวลผลที่อยู่เบื้องหลังแชตบอตและบริการคลาวด์ รวมถึงการ์ดจอเล่นเกม
ออกแบบชิปเครือข่าย ชิป AI ตามสั่งให้บริษัทเทคโนโลยี และซอฟต์แวร์ VMware
ออกแบบชิปสำหรับดาต้าเซ็นเตอร์ ชิปเครือข่าย และชิป AI แบบสั่งทำเฉพาะ
บริษัทอเมริกันผลิตเครื่องจักร วัสดุ และซอฟต์แวร์สำหรับการผลิตชิปและจอแสดงผล
คิดจากสัดส่วนกองทุนหลักในมูลค่ากองทุน (100.71% ณ 30 ก.ย. 2569) × สัดส่วนหุ้นในกองทุนหลัก · หุ้น ณ 22 ต.ค. 2569 · ภาพประกอบเพื่อความเข้าใจ ไม่ใช่การแนะนำหุ้นรายตัว
อันดับ 1 คือ SCBSEMI(SSFE) +45.25% ต่อปี
| ก.พ. |
|---|
| มี.ค. |
|---|
| เม.ย. |
|---|
| พ.ค. |
|---|
| มิ.ย. |
|---|
| ก.ค. |
|---|
| ส.ค. |
|---|
| ก.ย. |
|---|
| ต.ค. |
|---|
| พ.ย. |
|---|
| ธ.ค. |
|---|
| ทั้งปี |
|---|
| 2569 | +12.5 | +1.3 | −5.7 | +38.6 | +23.1 | +11.3 | −21.8 | +0.8 | +10.9 | −16.7 | −1.4 | · | +46.7* |
| 2568 | −0.3 | −4.6 | −9.8 | −2.9 | +10.2 | +15.4 | +0.2 | +1.5 | +9.8 | +12.4 | −4.0 | +1.8 | +29.9 |
| 2567 | +1.5 | +11.1 | +3.7 | −5.5 | +9.0 | +5.4 | −5.5 | −3.5 | −1.3 | −4.9 | −1.4 | +0.5 | +7.6 |
| 2566 | +12.7 | +2.5 | +7.2 | −7.6 | +15.1 | +5.9 | +4.7 | −4.7 | −6.7 | −7.0 | +14.7 | +11.8 | +54.9 |
| 2565 | −11.8 | −1.3 | −0.5 | −15.0 | +5.7 | −16.9 | +13.5 | −7.7 | −13.6 | +1.6 | +16.4 | −10.4 | −38.0 |
บริษัทอเมริกันผลิตเครื่องกัดและเคลือบวัสดุบนแผ่นเวเฟอร์สำหรับโรงงานผลิตชิป