SK hynix 000660เบื้องหลังหน่วยความจำของ AI
11.03 % ของมูลค่ากองทุน
ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำจากเกาหลีใต้ ทั้ง DRAM, NAND และ HBM ที่ใช้คู่ชิป AI
TALIS MEMORY FUND
บอกตำแหน่งของกองนี้ในกลุ่ม ไม่ใช่คำแนะนำการลงทุน · ข้อมูล ณ 3 พ.ย. 2569
TLDRAM ลงทุนผ่านกองทุนหลัก Defiance Memory UCITS ETF (DRAM) 99.11%
กองนี้TLDRAMกองนี้และกองหลักต่างมีค่าธรรมเนียมของตัวเอง ดูค่าธรรมเนียมจริงในส่วนค่าธรรมเนียมของหน้านี้
ข้อมูล ณ 30 ก.ย. 2569 · แสดง 6 รายการสูงสุด ส่วนที่เหลือรวมเป็นอื่น ๆ · ตาม Factsheet ของผู้ออกกองทุน
กองเปิดไม่ถึง 1 ปี ยังไม่มีอันดับ 1 ปี
| ตั้งแต่จัดตั้ง | |
|---|---|
| TLDRAM | −21.10 |
ผลการดำเนินงานในอดีตมิได้เป็นสิ่งยืนยันถึงผลการดำเนินงานในอนาคต
| 1W | 2W | 1M | MAX |
|---|---|---|---|
| −9.05% | −6.60% | −25.05% | −21.10% |
ผลตอบแทนรวมตลอดช่วง ตามช่วงเวลาเดียวกับกราฟ NAV · ไม่ต่อปี
| ปี | ม.ค. | ก.พ. | มี.ค. | เม.ย. | พ.ค. | มิ.ย. | ก.ค. | ส.ค. | ก.ย. | ต.ค. | พ.ย. | ธ.ค. | ทั้งปี |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2569 | · | · | · | · | · | · | · | −1.7 | +8.0 | −22.8 | −3.7 | · | −21.1* |
ข้อมูลย้อนหลังยังสั้นเกินไป
ขาดทุนสูงสุดในช่วงที่เลือก −26.65% จุดสูงสุดเดิม 5 ต.ค. 2569 (NAV 10.7465) → ต่ำสุด 3 พ.ย. 2569 (NAV 7.8822) · ยังไม่กลับเท่าทุน ณ 3 พ.ย. 2569
ปัจจุบัน −26.65% จาก NAV สูงสุด 10.7465 (5 ต.ค. 2569)
ช่วง 1 ปี มี 82 กองที่มีข้อมูล · TLDRAM ยังไม่มีข้อมูลช่วงนี้
กองทุนเป็นกองทุนรวมฟีดเดอร์ (Feeder Fund) ที่เน้นลงทุนในหน่วยลงทุนของ Defiance Memory UCITS ETF (กองทุนหลัก) เพียงกองทุนเดียว โดยกองทุนจะลงทุนในกองทุนหลักโดยเฉลี่ยในรอบปีบัญชีไม่น้อยกว่าร้อยละ 80 ของมูลค่าทรัพย์สินสุทธิของกองทุนรวม และลงทุนในสกุลเงินดอลลาร์สหรัฐฯ กองทุนหลักเป็นกองทุนประเภท Exchange… ทรัพย์สินที่ลงทุนสูงสุดคือ DEFIANCE MEMORY ETF ACCUMLT 99.11% (Factsheet 30 ก.ย. 2569)
ความเสี่ยงระดับ 7 จาก 8 (เสี่ยงสูง) คือลงทุนในตราสารทุน โดยเน้นเพียงบางหมวดอุตสาหกรรม โดยเฉลี่ยในรอบปีไม่น้อยกว่า 80% ของ NAV ตั้งแต่ 21 ส.ค. 2569 NAV เคยลดลงสูงสุด −26.65% จากจุดสูงสุด
ค่าใช้จ่ายรวมที่เก็บจริง 1.48% ต่อปี จากเพดาน 4.60% ค่าธรรมเนียมการจัดการ 1.28% ค่าธรรมเนียมการขาย 1.00% ค่าธรรมเนียมรับซื้อคืน 0.00% (Factsheet 28 ส.ค. 2569)
ไม่จ่ายเงินปันผล กำไรหรือขาดทุนสะสมอยู่ในราคา NAV ผู้ลงทุนรับผลตอบแทนเมื่อขายคืนหน่วยลงทุน
ซื้อครั้งแรกขั้นต่ำ 1,000 บาท ครั้งถัดไป 1,000 บาท ส่งคำสั่งซื้อได้ถึง 15:30 น. คำสั่งขายถึง 15:30 น. และได้รับเงินค่าขายคืน T+3
ไม่ป้องกันค่าเงิน
ผลการดำเนินงานในอดีตมิได้เป็นสิ่งยืนยันถึงผลการดำเนินงานในอนาคต · การลงทุนมีความเสี่ยง ผู้ลงทุนควรทำความเข้าใจลักษณะสินค้า เงื่อนไขผลตอบแทน และความเสี่ยงก่อนตัดสินใจลงทุน · กองทุนลงทุนในต่างประเทศ ผู้ลงทุนอาจขาดทุนหรือได้กำไรจากอัตราแลกเปลี่ยน
Micron MU
Kioxia 285A.T10.02%
Samsung Electronics 0059309.92%
Seagate STX9.44%
Western Digital WDC8.80%
Nanya Technology 24085.87%
Powerchip Semiconductor Manu… 6770.TW4.79%SK hynix 000660ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำจากเกาหลีใต้ ทั้ง DRAM, NAND และ HBM ที่ใช้คู่ชิป AI
Sandisk SNDKผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND การ์ดความจำ แฟลชไดรฟ์ และ SSD แบรนด์ SanDisk
Micron MUผลิตชิปหน่วยความจำ DRAM และ NAND รวมถึงหน่วยความจำ HBM สำหรับชิป AI
Kioxia 285A.Tบริษัทญี่ปุ่นผลิตหน่วยความจำแฟลช NAND และ SSD แยกตัวมาจาก Toshiba
Samsung Electronics 005930ผลิตสมาร์ตโฟน Galaxy ทีวี เครื่องใช้ไฟฟ้า และชิปหน่วยความจำ
Seagate STXผลิตฮาร์ดดิสก์สำหรับเก็บข้อมูล โดยเฉพาะรุ่นความจุสูงสำหรับดาต้าเซ็นเตอร์
Western Digital WDCผลิตฮาร์ดดิสก์ เช่น แบรนด์ WD และรุ่นความจุสูงสำหรับดาต้าเซ็นเตอร์
Nanya Technology 2408บริษัทไต้หวันผลิตชิปหน่วยความจำ DRAM อยู่ในเครือ Formosa Plastics
Powerchip Semiconductor Manu… 6770.TWโรงงานรับจ้างผลิตชิปจากไต้หวัน ผลิตทั้งชิปหน่วยความจำและชิปลอจิก
เครือข่ายมือถือ อินเทอร์เน็ต และซอฟต์แวร์
คิดจากสัดส่วนกองทุนหลักในมูลค่ากองทุน (99.11% ณ 30 ก.ย. 2569) × สัดส่วนหุ้นในกองทุนหลัก · หุ้น ณ 22 ต.ค. 2569 · ภาพประกอบเพื่อความเข้าใจ ไม่ใช่การแนะนำหุ้นรายตัว